MG50TF12SCP3S

Характеристики

Тип корпуса

—

P3S

IC @ TC=100℃(A)

—

VCES _Min(V)

—

1200

VCE(sat) _Typ(V)

—

1.7

Eon+Eoff typ. Tj=150℃（mJ）

—

9.1

Rth(j-c) _Max((℃/W)

—

0.75

В избранное

Сравнить

Цена по запросу

Под заказ

Наличие и цену уточняйте у менеджера категории.
+7 (812) 325 36 85
info@mt-system.ru

Описание
Дополнительно

IGBT модули – силовые полупроводниковые модули, состоящие из одного, двух и более IGBT транзисторов.
Компоненты широко распространены в преобразовательной, сварочной технике, а также устройствах заряда.

Документация

MG50TF12SCP3S 2,9 мб

Если Вам необходимо подобрать аналоги электронных компонентов заполните форму обратной связи или напишите нам письмо на адрес info@mt-system.ru. Мы свяжемся с Вами и предоставим все варианты замены.

Мы поможем вам сориентироваться в китайской элементной базе. Предложим доступные по срокам и цене аналоги – от конденсатора, до микроконтроллера.

Дискретные полупроводниковые устройства, MOSFET, IGBT, силовые модули, SiC, выпрямители и т. д.

Все товары категории

Все товары бренда SUNCO

Нужна консультация?

Наши специалисты ответят на любой интересующий вопрос

Задать вопрос