Характеристики
Тип корпуса
—
P3
IC @ TC=100℃(A)
—
15
VCES _Min(V)
—
1200
VCE(sat) _Typ(V)
—
1.85
Eon+Eoff typ. Tj=150℃（mJ）
—
2.58
Rth(j-c) _Max((℃/W)
—
1.05
Цена по запросу
Под заказ
IGBT модули – силовые полупроводниковые модули, состоящие из одного, двух и более IGBT транзисторов.
Компоненты широко распространены в преобразовательной, сварочной технике, а также устройствах заряда.
Компоненты широко распространены в преобразовательной, сварочной технике, а также устройствах заряда.
Документация
MG15P12P3_2
952,9 кб
Если Вам необходимо подобрать аналоги электронных компонентов заполните форму обратной связи или напишите нам письмо на адрес info@mt-system.ru. Мы свяжемся с Вами и предоставим все варианты замены.
Мы поможем вам сориентироваться в китайской элементной базе. Предложим доступные по срокам и цене аналоги – от конденсатора, до микроконтроллера.
Дискретные полупроводниковые устройства, MOSFET, IGBT, силовые модули, SiC, выпрямители и т. д.
Нужна консультация?
Наши специалисты ответят на любой интересующий вопрос
Задать вопрос
