|
IXYS выпускает высокоэффективное решение интегрирующее MOSFET-транзистор с SiC-диодом в едином изолированном корпусе
Корпорация IXYS объявляет об успешной интеграции технологии на основе карбида кремния (SiC) и новейшей технологии «Super Junction» MOSFET в едином удобном для пользователя устройстве, обладающем повышенной плотностью рассеиваемой мощности и повышенной эффективностью в таких приложениях как источники питания с быстрой коммутацией и инвертеры солнечных батарей.
... »» |