Главная / Каталог / Полупроводники / Дискретные компоненты / MOSFET транзисторы / Toshiba / Высоковольтные N-канальные MOSFET-транзисторы

Toshiba. Высоковольтные N-канальные MOSFET-транзисторы

Ключевые особенности:

  • Напряжение сток-исток (VDSS): от 300 до 900 В
  • Ток стока (ID): от 1 до 100 А
  • Сопротивление канала (RDS(on)): от 9000 до 18 мОм
  • Корпуса для поверхностного монтажа:

    Photo

    Package

    S

    mm2

    W x L

    mm

    Pitch

    mm

    Pins

    Footpint

    New_PW-Mold

    61.75

    9.5x6.5

    2.3

    3

    TO-252

    DPAK

    66.00

    10.0 x 6.6

    2.29

    3

    DFN8x8

    64.00

    8.0x8.0

    2.0

    5

    DFN8x8,

    PowerFLAT™_8x8_HV

    TFP

    98.44

    10.7 x 9.2

    -

    3

    TFP

    D2PAK

    159.12

    15.3 x 10.4

    2.54

    3

    TO-263

  • Корпуса для монтажа в отверстия:

    Photo

    Package

    New PW-Mold2

    IPAK

    I2PAK

    TO-220

    TO-220SIS

    Pitch, mm

    2.3

    2.54

    Photo

    Package

    TO-247

    TO-3P(L)

    TO-3P(N)

    Pitch, mm

    5.45