Главная / Каталог / Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы / Toshiba

IGBT Транзисторы Toshiba

IGBT транзисторы производства Toshiba используются в приложениях, в которых требуется высокоскоростное управление энергией высокой мощности, например, в инверторах, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, в системах промышленной автоматизации, медицинском оборудовании и т.д.

IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor или биполярный транзистор с изолированным затвором это сочетание высокого входного сопротивления MOSFET транзистора с высоким напряжением коммутации биполярного транзистора. Управление характеристикой проводимости биполярного транзистора делает его использование идеальным для приложений, где требуются высокие напряжения и большие токи коммутации.

Фирма МТ-Систем предлагает семейство IGBT-транзисторов Toshiba, которые обеспечивают быстрое переключение, за счет быстрой рекомбинации небольшого числа инжектированных носителей.

Ключевые особенности IGBT-транзисторов Toshiba:

(1) Быстрое переключение 0.14 … 2 мкс
(2) Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, даже при больших значениях токов коммутации
(3) Наличие встроенных диодов с оптимальными характеристиками
(4) Высокое входное сопротивления, позволяет управлять IGBT с помощью напряжения

Конструктивные особенности:

Структура IGBT транзистора состоит из 4 слоев (pnpn), как показана на рисунке ниже (справ). Низкое напряжение насыщения достигается благодаря pnp транзистору, модулирующему проводимость во включенном состоянии см. рисунок ниже слева.

Модельный ряд IGBT транзисторов Toshiba:

Part Number

Life-cycle

VCES

(Max)(V)

IC

(Max)(A)

VCE(sat)

(V)

Cies

(pF)

ton

(us)

toff

(us)

Built-in

Diode

Package

GT5G134

 

400

110

2.2

3400

2

1.1

Yes

SOP-8

GT15J341

 

600

15

1.5

1390

0.14

0.28

Yes

TO-220SIS

GT20J121

New product

600

20

1.25

2700

0.17

0.6

No

TO-220SIS

GT20J341

 

600

20

1.5

1790

0.16

0.35

Yes

TO-220SIS

GT30J121

 

600

30

2

4650

0.24

0.43

No

TO-3P(N)

GT30J122A

New product

600

30

1.7

2500

0.3

0.5

No

TO-3P(N)

GT30J126

 

600

30

1.95

4650

0.24

0.43

No

TO-3P(N)IS

GT30J322

 

600

30

2.1

2500

0.3

0.4

Yes

TO-3P(N)IS

GT30J341

 

600

33

1.5

2900

0.2

0.38

Yes

TO-3P(N)

GT35J321

 

600

37

1.9

2500

0.33

0.51

Yes

TO-3P(N)IS

GT40J121

 

600

40

1.1

2700

0.25

0.5

No

TO-3P(N)IS

GT40J321

 

600

40

2

2500

0.3

0.4

Yes

TO-3P(N)

GT40J322

 

600

40

1.7

2500

0.3

0.5

Yes

TO-3P(N)

GT40J325

 

600

40

1.45

2700

0.25

0.5

Yes

TO-3P(N)IS

GT50J322

 

600

50

2.1

2500

0.3

0.4

Yes

TO-3P(LH)

GT50J341

 

600

50

1.6

2700

0.27

0.45

Yes

TO-3P(N)

GT50J342

 

600

55

1.5

4800

0.25

0.37

Yes

TO-3P(N)

GT50JR21

New product

600

50

1.45

2700

0.25

0.37

Yes

TO-3P(N)

GT50JR22

New product

600

50

1.55

2700

0.25

0.33

Yes

TO-3P(N)

GT35MR21

 

900

35

1.6

1500

0.2

0.4

Yes

TO-3P(N)IS

GT50MR21

 

900

50

1.7

1500

0.22

0.4

Yes

TO-3P(N)

GT50N322A

 

1000

50

2.2

4000

0.33

0.7

Yes

TO-3P(N)

GT50N324

 

1000

50

1.9

5500

0.33

0.7

Yes

TO-3P(N)

GT50NR21

 

1050

50

1.8

1500

0.2

0.45

Yes

TO-3P(N)

GT60PR21

 

1100

60

2

2350

0.25

0.46

Yes

TO-3P(N)

GT40QR21

 

1200

40

1.9

1500

0.18

0.4

Yes

TO-3P(N)

GT40RR21

New product

1350

40

2.05

1500

0.2

0.4

Yes

TO-3P(N)

GT40WR21

New product

1800

40

2.9

4500

0.55

0.42

Yes

TO-3P(N)

 

Структура обозначения IGBT транзисторов компании Toshiba: