Главная / Каталог / Полупроводники / Дискретные компоненты / MOSFET транзисторы / Toshiba / Автомобильные MOSFET-транзисторы

Toshiba. Автомобильные MOSFET-транзисторы

Ключевые особенности:

  • N-канальные:
    • Напряжение сток-исток (VDSS): от 40 до 100 В
    • Ток стока (ID): от 4 до 200 А
    • Сопротивление канала (RDS(on)): от 54 до 0.9 мОм
  • P-канальные:
    • Напряжение сток-исток (VDSS): от -30 до -100 В
    • Ток стока (ID): от -3 до -150 А
    • Сопротивление канала (RDS(on)): от 130 до 2.8 мОм
    • Комплементарные пары (N+P в одном корпусе)
    • 2 N-канальных в одном корпусе
  • Корпуса для поверхностного монтажа:

    Photo

    Package

    S

    mm2

    W x L

    mm

    Pitch

    mm

    Pins

    Footpint

    PS-8

    8.12

    2.8 x 2.9

    0.65

    8

    SOT-28

    TSON

    Advance

    10.89

    3.3 x 3.3

    0.65

    5

    DFN3333-8, WDFN-8, u8FL, SOT873

    SOP

    Advance

    30.00

    6.0 x 5.0

    1.27

    5

    SO-8FL, DFN-5, LFPAK, SOT669,

    PowerPAK SO-8, PQFN, PowerFLAT(6x5),

    Power 56

    DPAK+

    61.75

    9.5 x 6.5

    2.3

    3

    TO-252

    TO-220SM(W)

    130.00

    13.0 x 10.0

    -

    3

    TO-220SM(W)

  • Корпуса для монтажа в отверстия:

    Photo

    Package

    TO-220SIS

    TO-3P(N)

    Pitch, mm

    2.54

    5.45